About / Advertise
Under de närmaste fem åren satsar Cree en miljard dollar på kiselkarbid och galliumnitrid. Målet är att kraftigt öka företagets kapacitet att leverera substrat liksom egna wafers till industrin. Enligt företagets vd tar Cree därmed ett rejält kliv mot att bli en av industrins viktiga spelare inom framtida krafthalvledare.
– Vi tror att det är den största kapitalinvesteringen som någonsin gjorts inom SiC- och GaN-tillverkning, säger Gregg Lowe, vd på Cree.
Miljarden som Cree satsar kan delas upp i tre delar.
450 miljoner dollar satsar företaget på att tillverka SiC-substrat och SiC-wafers som sedan säljs vidare till kunder, som exempelvis Infineon. Tillverkningen ska ske i en helt ny fab, en så kallad ”megafab”, nära företagets huvudkontor i Durham, North Carolina.
Cree är idag, genom Wolfspeed, industrins viktigaste spelare när det gäller SiC-råmaterial. Och planen är att den nya fabriken till en början ska leverera 6-tums skivor, för att sedan gå över till 8-tumsskivor när industrin är redo för det.
Lika mycket – 450 miljoner dollar alltså – satsar Cree på en idag tom halvledarfabrik, North Fab, som också den ligger nära huvudkontoret. Här ska företaget att tillverka krafthalvledare på 8-tums SiC-skivor kvalificerade för fordonsindustrin.
I investeringen ingår även en satsning på GaN om 100 miljoner dollar.
Får man tro Cree så kan den tänkta investeringen likställas med att öka tillverkningen av SiC-material liksom SiC-wafers upp till 30 gånger. Därmed anser företaget att det kan möta den förväntade tillväxten inom teknikområden som exempelvis elektriska fordon och 5G.
