JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. ST och TSMC i GaN-allians

ST Microelectronics och TSMC ska i gemensam regi bana väg för nya kraftkomponenter och halvledare i galliumnitrid. Tillsammans ska företagen utveckla processteknik för GaN och därmed accelerera utbudet av både diskreta och integrerade GaN-kretsar.

Galliumnitrid – GaN – är ett material med brett bandgap, vilket medför en hel del fördelar jämfört med kisel i krafttillämpningar. Det har exempelvis högre energieffektivitet vid högre effekt, vilket minskar parasitförlusterna. GaN-baserade kretsar kan dessutom switcha betydligt snabbare än kisel-dito. Det bäddar för små och kompakta enheter.

Nu vill ST trycka på för att snabbast möjligt få ut en GaN-portfölj. Genom samarbetet med TSMC siktar ST speciellt på fordonssektorn och industri. Främst handlar det om GaN-kretsar för 100V och 650V.

ST förväntar sig att samarbetet ska utmynna i en första leverans av provexemplar inom några månader. Först handlar det om diskreta kraftkretsar, därefter integrerade GaN-kretsar.

– GaN representerar nästa stora innovation inom kraft och smart kraftelektronik, men också inom processteknik, säger Marco Monti, på ST Microelectronics i ett pressmeddelande.

Parallellt med att ST och TSMC bygger upp produktionskapacitet hos det taiwanesiska foundryt fortsätter ST att utvecklöa sin verksamhet kring power-GaN i franska Tours.

MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)