About / Advertise
ST Microelectronics och TSMC ska i gemensam regi bana väg för nya kraftkomponenter och halvledare i galliumnitrid. Tillsammans ska företagen utveckla processteknik för GaN och därmed accelerera utbudet av både diskreta och integrerade GaN-kretsar.
Galliumnitrid – GaN – är ett material med brett bandgap, vilket medför en hel del fördelar jämfört med kisel i krafttillämpningar. Det har exempelvis högre energieffektivitet vid högre effekt, vilket minskar parasitförlusterna. GaN-baserade kretsar kan dessutom switcha betydligt snabbare än kisel-dito. Det bäddar för små och kompakta enheter.
Nu vill ST trycka på för att snabbast möjligt få ut en GaN-portfölj. Genom samarbetet med TSMC siktar ST speciellt på fordonssektorn och industri. Främst handlar det om GaN-kretsar för 100V och 650V.
ST förväntar sig att samarbetet ska utmynna i en första leverans av provexemplar inom några månader. Först handlar det om diskreta kraftkretsar, därefter integrerade GaN-kretsar.
– GaN representerar nästa stora innovation inom kraft och smart kraftelektronik, men också inom processteknik, säger Marco Monti, på ST Microelectronics i ett pressmeddelande.
Parallellt med att ST och TSMC bygger upp produktionskapacitet hos det taiwanesiska foundryt fortsätter ST att utvecklöa sin verksamhet kring power-GaN i franska Tours.
