JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise

Den amerikanska halvledarjätten bygger ut sin fabrik för avancerad kapsling i Rio Rancho,  New Mexico. För 3,5 miljarder dollar får Intel en anläggning som bland annat klarar tredimensionella byggsätt där chippen staplas på varandra, en teknik som företaget döpt till Foveros.

Bygget är tänkt att starta mot slutet av året och kommer att sysselsätta runt tusen personer. Den färdiga kapslingsfabriken får minst 700 anställda när den är i full drift om drygt tre år.

I takt med att Moores lag tappat fart har avancerade byggsätt seglat upp som ett intressant komplement. Det handlar om att kombinera olika okapslade kretsar på ett substrat som både har ungefär samma värmeutvidgningskoefficient som kislet men som också gör det möjligt att ha många ledare väldigt tätt. Lösningarna har ofta kallats för 2,5D trots att det handlat om chip placerade bredvid varandra.

Med Foveros tog Intel steget till sann 3D för två år sedan. I botten finns motsvarande substrat som i 2,5D-lösningarna. Där monteras en logikkrets och ovanpå den kan man sedan addera en eller flera chip, exempelvis en FPGA, en rf-krets eller ett minne.

Kretsarna kopplas ihop med varandra, men den översta kretsen har också direkta förbindelser genom den undre kretsen till substratet, en teknik kallad Through Silicon Vias.

Intels första produkt i Foveros var en pc-processor kallad Lakefield.

Företaget har haft produktion i New Mexico sedan 1980 och har under årens lopp investerat 16,3 miljarder dollar i verksamheten som har 1800 asntällda idag.

MER LÄSNING:
 
 
Pappersmagasinet Nyhetsbrev
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)