JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Effekttransistorer i MOS- teknik

Bipolär teknik har hittills varit huvudspåret för Ericssons RF- transistorer. Men nu lanserar man en familj i MOS-teknik för CDMA- och TDMA- tillämpningar.


Fyra krafttransistorer med effekter från 12 till 120 W vid 28 V spänning, samtliga avsedda för mobiltelefoni enligt CDMA- och TDMA-standarderna har tagits fram av Ericsson Microelectronics. De är avsedda för mobiltelefoni i frekvensområdet mellan 1,8 och 2,0 GHz och uppges vara mycket linjära.

Transistorerna är tillverkade i Ericssons egen MOS-teknik kallad LDMOS, Laterally Diffused MOS, vilket uppges ge dem högre stabilitet och 3 dB bättre förstärkning än motsvarande komponenter i bipolär teknik.

Komponenterna kan sättas ihop i olika kombinationer för att ge önskad förstärkning. Alla delar är internt matchade, så att några externa komponenter för matchning behövs inte. Framöver väntas företaget även ta fram liknande transistorer för högre frekvenser, mellan 2,2 och 3 GHz. Man jobbar också på andra spänningar, främst 12 och 50 V.

Marknaden för RF-kraftkisel väntas i år bli cirka 175 miljoner dollar, varav Ericsson tror sig stå för 50 miljoner. Om två år ska den sistnämna siffran dubbleras.

Adam Edström

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)