JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Första schottkydioden i kiselkarbid

Infineon har börjat producera den första schottkydioden i kiselkarbid. Ämnet ger mindre switchförluster, vilket gör att dioden klarar spänningar upp till 3 500 V.
Jämfört med traditionella schottkydioder tillverkade i kisel eller galliumarsenid ger kiselkarbid betydligt lägre switchförluster, vilket gör det möjligt att arbeta med högre switchfrekvenser. Det i sin tur innebär att dioden kan användas med mindre, billigare och färre antal passiva komponenter. Lägre switchström bidrar dessutom till att mindre transistorer kan användas. Dioderna kan även arbeta vid höga frekvenser utan komplexa switchkretsar.

Den nya schottkydioden kan användas i kompakta, switchade kraftförsörjningssystem, SMPS, med höga frekvenser och lämpar sig för serversystem och basstationer för mobiltelefoni. De låga förlusterna gör att kraftförsörjningssystemen kan konstrueras utan fläkt eller kyldon.

Kiselkarbid, SiC, har fördelen att ha hög Schottkybarriär och en termisk ledningsförmåga som påminner om koppar. Egenskaperna gör att en diod uppbyggd av kiselkarbid får lägre läckströmmar, låg resistans och hög strömtäthet. Då vanliga Schottkydioder med kisel klarar spänningar på 200 V och motsvarande dioder i galliumarsenid kommer upp till 250 V, klarar dioder i kiselkarbid en spänningsvariation mellan 300 och 3 500 V.

Infineons dioder finns i provexemplar för 600 V och 300 V. Volymproduktionen planeras att komma igång i april.


Lisa Ringström

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)