JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Konkav kondensator ger större minne

Koreanska Samsung har lyckats bygga ett synkront DDR DRAM om 4 Gbit. Minnet är tillverkat i en 0,11 μm-process och utnyttjar en helt ny kondensatorkonstruktion
Kondensatorerna har en konkav struktur, vilken ska göra att risken för bitfel i minnet reduceras. Minnet är ännu på prototypstadiet och prover ska dyka upp om tre år. Innan dess tänker Samsung utnyttja tekniken för att minska storleken hos DDR DRAM på 256 Mbit och 512 Mbit.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)