JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. SRAM och DRAM i ett

Genom att kombinera DRAM-liknande minnesceller med SRAM-gränssnitt har Toshiba tagit fram ett minne som klämmer in mer data på mindre yta
Toshiba har utvecklat Pseudo-SRAM, ett statiskt läs- och skrivminne om 32 Mbit. Minnet bygger på DRAM-celler, som ju har en transistor, och ett SRAM-gränssnitt. Därmed spar man yta jämfört med då traditionella SRAM, som bygger på att sex transistorer, används.

Toshiba hävdar att det nya minnet, som innefattar en återhämtningsfunktion, kan ersätta både traditionella SRAM och DRAM. Därmed kan man ta bort en del logik och en DRAM-relaterad styrkrets, vilket spar utrymme jämfört med då ett traditionellt DRAM används.

Med Pseudo-SRAM riktar Toshiba in sig mot mobiltelefoner, handdatorer och liknande trådlösa kommunikationsprodukter med stort minnesbehov. Minnet är anpassat för en matningsspänning mellan 2,5 till 3,1 V och har en åtkomsttid på 80 ns. Strömförbrukningen i viloläge ligger på 70 mA. Minnet har konfigurationen 2 x 16 och kommer i en FBGA med 48 lödkulor.

Provexemplart kommer att finnas under tredje kvartalet i år. Volymproduktionen kommer att kunna sätta fart ungefär två månader senare. Toshiba planerar att lansera större minnesvarianter längre fram, då bland annat i storleken 64 Mbit.


Lisa Ringström

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)