JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Fartgupp i dopningen bakom rekord

LDMOS-transistorer är normalt snabba men klarar inte för hög spänning. Med dopade fläckari driftområdet mellan gate och drain har man kommit runt detta. Tekniken kallas Resurf, reduced surface field.
LDMOS-transistorer utmärker sig för en kort kanal mellan source och driftområde. Den korta kanalen gör transistorn snabb, vilket innebär att den kan arbeta i högre frekvenser. Vill man ha hög spänning kan man uppnå det genom att minska dopningen i materialet, men då får man också högre resistans.

Ett annat sätt att höja spänningen är att öka avståndet i driftområdet mellan gate och drain, men normalt stannar man på ungefär 10 volt, och redan vid ungefär 30 volt får man genomslag. Genom att lägga in dopade fält i driftområdet har dock forskarna på Ångströmlaboratoriet och Chalmers lyckats komma upp i 450 volt innan de får genomslag.

- När transistorn är av och spänningen ligger på får man ett utarmningsområde som breder ut sig. Det är ojämnheter i utbredningen som till slut orsakar genomslaget. Med extradopningarna har vi lyckats få utarmningen att breda ut sig på ett kontrollerbart sätt, och dessutom sänkt resistansen, berättar Jörgen Olsson.

Tekniken i sig är inte ny, den kallas resurf, reduced surface field, och upptäcktes av Philips för 20 år sedan. De svenska forskarnas insats består framför allt i en ökad förståelse av hur resurf fungerar och hur man kan optimera effekten för högfrekvensegenskaper.

Den smala kanalregionen är typisk för LDMOS, och ger snabba transistorer. Forskarteamets innovation ligger i dopningen mellan gate och drain som gör att avståndet mellan dem kan ökas.

Elias Nordling

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)