Sydkoreanska RFHIC, som bland annat utvecklar rf-komponenter för kommunikations- och försvarsområdet, gör en strategisk investering i Linköpingsbaserade Swegan. Företaget utvecklar och tillverkar epitaxiella wafers av galliumnitrid på kiselkarbid.
Hur mycket pengar RFHIC stoppar in får vi inte veta men de ska användas för att öka utvecklings- och tillverkningskapaciteten.
Företagen ska dessutom gemensamt utveckla nya produkter för 4 GHz-bandet.
RFHIC har sedan 2008 ett avtal med Wolfspeed (fd Cree) för epitaxiella wafers av GaN-på-SiC. Den första komponenten kom året därpå och var en kraftförstärkare för 5G. Idag finns ett brett utbud för bland annat kommunikations- och radartillämpningar.
Swegan flyttade in i sitt nya renrum förra sommaren och har en process kallas Quanfine för galliumnitrid på kiselkarbidskivor. Lagret uppges vara en tiondel så tjockt som hos konkurrenterna. Dessutom behövs inget mellanskikt (buffertlager) vilket ökar både högfrekvensprestanda, minskar mängden defekter och förbättrar kylegenskaperna.
För kunderna innebär det högre verkningsgrad hos de färdiga komponenterna. En annan fördel med att göra galliumnitridlagret tunnare är att det går snabbare att tillverka skivorna vilket sänker kostnaden.
Skivorna används för att tillverka integrerade mikrovågskretsar (MMIC) och transistorer för bland annat fasstyrd radar, satellitsystem och basstationer.
Elektroniktidningen hade en längre artikel om Swegan i oktober 2022 (länk).