About / Advertise
Renesas fortsätter att utveckla Intersils portfölj av strålningshärdiga kretsar. Nu släpper företaget effekttransistorer i GaN som påstås ha tio gånger bättre prestanda än MOSFET:ar i kisel, trots att storleken är halverad. Även en drivkrets ingår i lanseringen.
De två effekttransistorerna är ISL7023SEH, som hanterar 100 V och 60 A, samt ISL70024SEH som hanterar 200 V och 7,5 A.
GaN tillåter högre switchfrekvens än kisel, vilket krymper storleken på kretsarna. Dessutom påstås GaN-transistorerna ha minskade parasiter och lägre switchförluster än kiselalternativ, vilket minskar kravet på kylfläns.
De två egenskaperna i kombination med att kretsarna är strålningshärdiga gör dem som klippta och skurna för DC/DC-omvandlare i bärraketer, satelliter och borrhål, menar Rensas.
Nykomlingen ISL70040SEH, också tillverkad i GaN, är specialutvecklad för att driva transistorerna.
Kretsarna klarar militärt temperaturområde och finns att få i två strålningshärdiga versioner, en högdosversioner (100 krad) och lågdosversioner (75 krad).
