About / Advertise
Invertrar med kiselkarbidtransistorer har hittills använts i framförallt premiummodeller. ST Microelectronics vill ändra på det med den fjärde generationen av MOSFET-transistorer i kiselkarbid. De är på 750 V och 1200 V och har mindre förluster, högre effektdensitet och är dessutom robustare än sina föregångare.
ST räknar med att den nya generationens kiselkarbidtransistorer blir tillräckligt billiga för att ta plats i bilmodeller i mellanklassegmentet och därunder. Transistorerna kommer för 750 V och 1200 V vilket förbättrar energieffektiviteten och prestanda hos elfordon med 400 V- och 800 V-system.
750 V-modellerna är färdigkvalificerade medan 1200 V-modellerna förväntas bli det under första kvartalet 2025.
Komponenterna passar också i en mängd industriella applikationer med hög effekt, inklusive solcellsväxelriktare, energilagringslösningar och kraftomvandlare till datacenter.
Den genomsnittliga chipytan för Generation 4 är 12 till 15 procent mindre än för Generation 3, mätt med RDS(on) vid 25 grader Celsius. Resultatet blir kompaktare strömomvandlare och minskade systemkostnader.
Vidare har transistorerna ett betydligt lägre motstånd när det leder, RDS(on), jämfört med tidigare generationer, vilket minimerar ledningsförlusterna och förbättrar den totala systemeffektiviteten.
Det ger också snabbare switchhastigheter vilket leder till lägre switchförluster och därmed kompaktare och effektivare effektomvandlare.
Den fjärde generationens kiselkarbidtransistorer har förbättrad robusthet vid så kallad dynamisk omvänd förspänning (DRB) och klarar fordonsstandarden AQG324.
