JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. GaN-transistor i kiselkapsel – Elektroniktidningen
fredag 2 maj 2025 VECKA 18

Komponenter i galliumnitrid har traditionellt levererats i specialutvecklade kapslar. Tyska Infineon vill skapa en standard och satsar på RQFN-kapseln som används till kraftkomponenter i kisel.

Den rektagulära QFN-kapseln (RQFN) är designad för att leda bort värme via både under- och ovansidan samtidigt som den saknar ben och är ytmonterad.

Kapseln används till MOSFET-transistorer i kisel men Infineon har nu valt den till två av sina transistorer i tredje generationens Cool GaN.

Det är Cool GaN G3 på 100 V som levereras i en 5 x 6 RQFN-kapsel med ett typiskt motstånd när de leder på 1,1 mΩ. Dessutom finns en 80 V-transistor i en 3,3 x 3,3 RQFN-kapsel med ett typiskt motstånd på 2,3 mΩ.

Tanken med att välja RQFN-kapseln är att kunderna ska kunna köpa transistorerna från flera olika tillverkare utan att ändra designen på mönsterkortet.

Prover av IGE033S08S1 och IGD015S10S1 i RQFN-kapslingar kommer i april.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:

 
Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)

KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus


8 banners varav 8 har onclick.