JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. GaN-transistor på 100 V med Schottkydiod – Elektroniktidningen
torsdag 24 april 2025 VECKA 17

Mindre förluster, enklare design och lägre totalpris, det är några av fördelarna med att integrera en Schottkydiod med en GaN-transistor när det handlar om krafttillämpningar. Tyska Infineon säger sig vara först med kombinationen i HEMT:ar för tillämpningar upp till 100 V.

I så kallade hard-switching-tillämpningar (när ström och spänning är höga i switchögonblicket), i praktiken enklare topologier, kan galliumnitridtransistorer ha höga förluster.

Det beror på den större effektiva body-diodspänningen (VSD) hos GaN-komponenter. Dessutom blir det ännu värre vid långa dödtider i styrkretsen, vilket leder till lägre verkningsgrad än önskat.

För att minska problemet har man använt en extern Schottkydiod parallellt med GaN-transistorn, alternativt minimerat dödtiderna via sina styrkretsar.

Infineon lanserar en ny medlem i femte generationens galliumnitridtransistorer i Coolgan-familjen som innehåller just en integrerad Schottkydiod.

När dioden integreras i samma chip som GaN-transistorn minskar den parasitiska induktansen liksom överspänningar, samtidigt som det förbättrar EMC-egenskaperna. Dessutom innebär färre komponenter att designen upptar mindre yta på kretskortet vilket bidrar till att sänka totalkostnaden.

Detta är särskilt värdefullt i kompakta kraftmoduler, DC/DC-omvandlare och laddare.

Den första varianten av GaN-transistor med diod finns i provexemplar och är specificerad för 100 V och 1,5 mΩ. Kapseln är en PQFN på 3,5 mm.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:

 
Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)

KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus


6 banners varav 6 har onclick.