About / Advertise
Intel och Micron med nytt minne
En helt ny klass av minnesarkitektur. Så presenterade Intel och Micron sin teknik 3D Xpoint i förra veckan. Tekniken tros kunna ge minnen som är 1000 gånger snabbare än NAND-flash och som har åtta till tio gånger högre densitet än DRAM.
Klart är dock att de två företagen ser detta som en fundamentalt ny minnesarkitektur – den åttonde inom industrin efter det att transistorn uppfanns år 1947.
– Vi har en unik switch- och minnescellsdesign som tillåter oss att eliminera transistorn och därmed kan vi skala till mycket fina dimensioner i framtiden, sade Mark Duncan.
3D Xpoint uttalas 3D ”cross”point, och namnet anspelar självklart på att arkitekturen är tredimensionell. Genom en mängd punkter – Xpoints - förbinds de olika lagren.
– Varje Xpoint består av en switch och en minnescell som kan selekteras individuellt. Minnescellerna kan således läsas och skrivas individuellt.
Företagens första produkt är realiserad i två dimensioner och har en kapacitet på 128 Gbit, vilket motsvarar densiteten hos dagens flash.
Genom att addera flera lager och skapa tätare förbindningspunkter ser företagen dock att det i framtiden går att skapa minnen med betydligt högre densitet i denna arkitektur.
Tittar man på cellnivå så nyttjar Xpoint resistiv teknik. Cellen lagrar alltså inte elektroner, likt flash och DRAM, utan informationen lagras i form av en ändring i bulkmaterialet. Intel och Micron kallar tekniken för ”bulk material property change”.
Hur cellerna verkligen fungerar, vilka nyutvecklade material som används liksom en mängd andra detaljer avslöjades inte under presentationen som du själv kan ta del av här (länk).
Planen är att den nya minnesarkitekturen ska lanseras under nästa år. Tillverkningen kommer att ske i gemensam regi, medan företagen ska utveckla produkter baserade på det nya minnet på var sitt håll.
Illustration av den nya minnesarkitekturen, 3D Xpoint:
