About / Advertise
ST Microelectronics och det belgiska forskningscentret Imec vill bygga in ferroelektriska 1 Mbit minnen direkt i CMOS-baserade standardkretsar redan om två år.
ST Microelectronics och Imec har inlett ett tvåårigt forskningsprogram med sikte på integrering av ferroelektrisk minnesteknik i en CMOS-process. Målet är att ha en 0,35 μm-process för inbyggnad färdig inom två år. Imec säger sig redan ha lyckats integrera ferroelektriska minnen i en 0,5 μm-process. En 0,35 μm-version skulle dock bana väg för 1 Mbit minnen.
FRAM-kretsar är till storleken jämförbara med DRAM-kretsar, de är energisnåla och icke-flyktiga som flashminnen och skulle enligt många kunna bli det superminne, som alla drömmer om ska ersätta alla andra minnen. Trots att tekniken är väl känd sedan ett decennium har dock FRAM-kretsar hittills bara utnyttjats i ett fåtal mindre utrymmeskrävande tillämpningar.
Att bygga in det ferroelektriska materialet, vanligtvis blyzirkonattitanat, med platinaelektroder i en CMOS-process är svårt eftersom platina lätt förorenar halvledartillverkningen. Imec har dock utvecklat tekniker som gör det möjligt att isolera platinan från resten av CMOS-transistorerna vilket gör att FRAM- kretsar kan byggas in i CMOS-baserade standardprodukter.
ST kommer till att börja med att utnyttja FRAM-kretsar i smarta kort. Fördelar som snabb programmering och energisnålhet gör att FRAM-tekniken passar perfekt för beröringsfria smarta kort, menar företaget. Framtida tillämpningar inkluderar spel, mobiltelefoner och som alternativ till hårddiskar
Inom forskningsprogrammet kommer ST och Imec även att utveckla andra ferroelektriska material inklusive strontiumvismuttantalat, som har bättre skalbarhet för spänningen samtidigt som man undviker användningen av platina.
Gittan Cedervall
