About / Advertise
För att visa att man fortfarande ligger i täten har Intel presenterat de första resultaten från sin kommande halvledarprocess med en kanallängd på 90 nm.
Intel säger sig har fått fram ett fungerande SRAM på 52 Mbit med en sextransistorscell (6T) som inte upptar mer än en kvadratmikrometer. Cellen är därmed 25 procent mindre än den som kislesmedjan TSMC tillverkat i sin kommande 90 nm-process och hälften så stor som i Intels 0,13 μm-process. SRAM-minnet har cirka 330 miljoner transistorer och rymmer 52 Mbit på en yta av 109 kvadratmillimeter (10,1x10,8 mm). Intel har dock inte publicerat några data på accesstider eller andra prestanda.
Kretsen har sju ledarlager tillverkade i koppar. Intel har använt litografiutrustning med ljuskällor på både 193 nm och 248 nm. Den senare har använts för icke kritiska delar av minnet, det vill säga kopparledarna och inte själva transistorerna.
SRAM används ofta som verktyg för att testa nya logikprocesser. Det ger möjlighet att både utvärdera transistorerna och förbindningsledarna. Även om processen har en ritad kanallängd på 90 nm är den effektiva gatelängden 50 nm, även det bättre än TSMC som rapporterat en effektiv gatelängd på 65 nm.
Intels nya process är utvecklad i Hillsboro, Oregon, och enbart avsedd för 300 mm-skivor. Den första produkten kommer nästa år och det blir Prescott som ingår Pentiumfamiljen , men den kommer också att användas för volymproduktion av kringkretsar och nätverkskretsar.
Företaget uppger, precis som Infineon, att tillverkningskostnaderna blir 30 procent lägre för 300 mm-processen jämfört med 200 mm. Förbrukningen av energi och vatten minskar med 40 procent per krets och arbetskostnaden halveras.
Per Henricsson
