About / Advertise
Motorola Semiconductor utvecklar en ny typ av ickeflyktigt minne vid namn Sonos. Minnet ska börja tillverkas i provexemplar redan i början av år 2004.
Motorola kommer att beskriva det inbyggda 90 nm-minnet Sonos på halvledarkonferensen International Electron Devices Meeting, IEDM, som äger rum i mitten av decem-ber. Det skriver den amerikanska tidningen EET - Electronic Engineering Times.Sonos är en förkortning av silicon-oxide-nitride-oxide-silicon, vilket är de material som Motorolaforskarna staplat ovanpå varandra för att skapa minnet. Minnesbitarna lagras i nitridlagret direkt under polykiselgaten.
Motorolas talesman Ko-Min Chang säger att Sonosminnen kommer att ersätta traditionella flashminnen med flytande gate, eftersom man närmar sig gränsen för hur mycket man kan skala dielektrikat i den flytande gaten och för att dielektrika med högt k-värde läcker för mycket ström.
- Det attraktiva med Sonos är att det bara involverar ett polylager, och att det kan bli rätt mycket billigare med högre utfall (yield) än flytande-gateflash, säger Chang till EET.
Men det finns fler alternativ till dagens flashminnen. Magnetoresistiva minnen, MRAM, ferroelektriska minnen, FeRAM, samt polymerminnen är några exempel.
Charlotta von Schultz
