JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Texas visar energisnål RAM-cell

Texas Instruments, TI, har demonstrerat en statisk RAM-cell som kräver 200 gånger mindre energi än tidigare minneskonstruktioner.

TI kallar tekniken TSRAM, vilket står för tunnelling-based static RAM. Energikonsumtionen för demonstrationscellerna ligger på 50 nW per cell, men företaget räknar med att minska den till cirka 10 nW per cell när tekniken finslipats. Enligt TI har de hittills energisnålaste minnescellerna på halvledare krävt cirka 20 uW.

Indiumfosfid, InP, har utnyttjats som substrat i demonstrationscellen, men eftersom InP är mycket likt GaAs menar företaget att det går lika bra att utnyttja GaAs. Det öppnar för användningen av GaAs

i snabba digitala signalprocessorer. Enligt TI kan GaAs-teknik kombinerat med TSRAM göra det möjligt att konstruera processorer med GHz-prestanda. Dessutom menar företaget att den grundläggande tekniken även kan utnyttjas för kisel och ge upp till ett hundra gångers energibesparing på DRAM-celler.

Gittan Cedervall

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)