JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. 0,07 μm snart inom räckhåll

Konventionell litografi räcker hela vägen till 0,07 μm, hävdar forskare på IBM. Det går att göra CMOS-kretsar med effektiva kanallängder neråt 0,07 μm genom att förbättra och modifiera dagens teknik. Det motsvarar 1,0 μm ritat. Dithän borde industrin ha kommit vid pass år 2004.

Åtminstone om man får tro Bijan Davari på IBM, som hävdar just detta i en rapport presenterad vid konferensen International Electron Devices Meeting, IEDM, i San Francisco i december, rapporterar tidningen Electronic Engineering Times.

Jämfört med dagens CMOS-processer på 0,35 μm skulle 0,07 μm innebära runt tre gånger snabbare och ungefär åtta gånger tätare kretsar.

Den stora frågan i halvledarvärlden är när man ska tvingas gå över från konventionell litografi till röntgenlitografi. Länge har 0,1 μm ansetts som den fysikaliska gränsen, men nu hävdar Davari och IBM alltså annorlunda.

Och han får stöd av forskare på Mitsubushi, annars känt för sina satsningar på röntgenlitografi. Mitsubishi hävdar att man med hjälp av krypton-fluorbaserad litografi och fasskiftsmasker lyckats göra mönster i 0,12 μm-storlek, med hopp om vidare förminskningar.

I sin rapport angav Davari fem områden där bättre analysverktyg måste fram om målet 0,07 μm ska nås. Förutom litografin gäller det effekttätheten, fördröjningen i ledarna, laddning av alfapartiklar (soft error rate) och tröskelspänningar.

Adam Edström

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)