JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Efter flash kommer Sonos

Motorola Semiconductor utvecklar en ny typ av ickeflyktigt minne vid namn Sonos. Minnet ska börja tillverkas i provexemplar redan i början av år 2004.
Motorola kommer att beskriva det inbyggda 90 nm-minnet Sonos på halvledarkonferensen International Electron Devices Meeting, IEDM, som äger rum i mitten av decem-ber. Det skriver den amerikanska tidningen EET - Electronic Engineering Times.

Sonos är en förkortning av silicon-oxide-nitride-oxide-silicon, vilket är de material som Motorolaforskarna staplat ovanpå varandra för att skapa minnet. Minnesbitarna lagras i nitridlagret direkt under polykiselgaten.

Motorolas talesman Ko-Min Chang säger att Sonosminnen kommer att ersätta traditionella flashminnen med flytande gate, eftersom man närmar sig gränsen för hur mycket man kan skala dielektrikat i den flytande gaten och för att dielektrika med högt k-värde läcker för mycket ström.

- Det attraktiva med Sonos är att det bara involverar ett polylager, och att det kan bli rätt mycket billigare med högre utfall (yield) än flytande-gateflash, säger Chang till EET.

Men det finns fler alternativ till dagens flashminnen. Magnetoresistiva minnen, MRAM, ferroelektriska minnen, FeRAM, samt polymerminnen är några exempel.

Charlotta von Schultz

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)