JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Samsung med industrins största pseudominne
 

Samsung har utvecklat industrins första pseudo-SRAM som rymmer 256 Mbit.
Det nya minnet siktar på en plats i framtida 3G-telefoner som kräver snabba minnen med hög densitet. Förutom en lagringskapacitet på 256 Mbit kan minnet arbeta med 133 MHz, vilket är klart snabbare än alla andra pseudo-SRAM för dagen.


Pseudo-SRAM är ett DRAM som utvecklats för att göra teknikövergången från statiska till dynamiska RAM smidig i framtida mobiltelefoner. Orsaken är att traditionella SRAM-lösningar inte längre håller måttet när minnesbehovet ökar i multimediatelefoner.


Marknaden för denna typ av minne förväntas växa med 33 procent årligen fram till år 2008, hävdar Samsung. Idag är cirka 10 procent av telefonerna på marknaden 3G-telefoner, om tre år väntas andelen vara uppe i 30 procent.


Samsungs minne har en UtRAM-arkitektur, vilket är en typ av pseudo-RAM där minnescellen är konfigurerad som ett DRAM och gränssnitt är konfigurerat som ett SRAM eller NOR-flash. Det tillverkas i 90 nm-process och företaget hävdar att de första proverna ska nå mobiltelefontillverkarna senare i denna månad. Volymer väntas mot slutet av året.

 
data-dcm-placement='N7384.153121.ELEKTRONIKTIDNIGEN/B30748631.379032726' data-dcm-rendering-mode='script' data-dcm-https-only data-dcm-api-frameworks='[APIFRAMEWORKS]' data-dcm-omid-partner='[OMIDPARTNER]' data-dcm-gdpr-applies='gdpr=${GDPR}' data-dcm-gdpr-consent='gdpr_consent=${GDPR_CONSENT_755}' data-dcm-addtl-consent='addtl_consent=${ADDTL_CONSENT}' data-dcm-ltd='false' data-dcm-resettable-device-id='' data-dcm-app-id=''>

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)