Intel och ST Microelectronics ska samarbete kring NOR-flash. Genom att erbjuda hård- och mjukvarukompatibla minnen vill de i framtiden sänka utvecklingskostnaderna för mobiltelefontillverkarna.
För allra första gången samarbetar Intel och ST kring gemensamma minnesspecifikationer. Och syftet är att vara ”second source” för varandra.
- ST och Intel har gått samman för att ge telefontillverkarna stabil tillgång till NOR-flash i multimediatelefoner med megapixelkameror, video och bredbandiga datafunktioner, säger Giuseppe Crisenza, ansvarig för ST Microelectronics minnesprodukter.
Redan finns de första samspecificerade NOR-flashen framme från båda företagen. Det handlar om flernivåsminnen (multi-level-cell) som rymmer 512 Mbit och är tillverkade i 90 nm. Fast detta är bara början.
- Vi arbetar nu tillsammans för att definiera nästa generations funktioner, minnesgränssnitt och kapslingstekniker i 65 nm, säger Giuseppe Crisenza.
Nästa punkt på agendan är alltså att ta fram 1 Gbitminnen i 65 nm som följer de gemensamma specifikationer.
Idag är NOR-flash den mest använda minnestekniken i mobiltelefoner. Hela 92,8 procent av de flashminnen som byggs in i mobiltelefoner har NOR-arkitektur, enligt analysföretaget iSuppli. Intel och ST påstås leverera mer än 40 procent av de NOR-flash som används i dagens telefoner.