About / Advertise
Med den helt nya transistortypen IT-FET som har både vertikala och plana strukturer säger sig halvledarjätten Freescale ha löst ett av de stora problemen för kretsproduktion vid 45 nm och finare geometrier.
I traditionell CMOS ligger transistorerna i horisontella plan. Somliga tillverkare har dock börjat bygga transistorerna vertikalt . Det gör att transistorerna kan packas tätare, minimerar läckströmmar och tillåter högre drivström eftersom transistorerna kan förses med dubbla styren (gates) som kan kommas åt från ömse sidor av dem. Vertikala strukturer är dock svårare att tillverka. Hos Freescale har man nu, efter åratals forskning, lyckats kombinera de vertikala och horisontella egenskaperna. Detta är något som många försökt med, men Freescale är först med att presentera ett industriellt gångbart resultat och därtill kommersiella planer på att utnyttja tekniken.
Resultatet kallas IT-FET, Inverted T-Channel Field Effect Transistor. Enligt företaget är en IT-FET lika stabil och producerbar som planara transistorer, och därtill är läckströmmarna i klass med vertikala. Låga parasitkapasitanserna och hög tillström (on current) hör också till fördelarna.
- IT-FET är en av de mest innovativa och potentiellt revolutionerande framstegen inom halvledarproduktion sedan industrin anammade planar CMOS för 20 år sedan, säger Freescales tekniske direktör Claudine Simson.
De vertikala och horisontella regionerna i transistorn samverkar för att maximera den ekvivalenta grindlängden - och därmed strömhanteringen - utan att för den skull öka kretsytan. De vertikala delarna har enklare geometrier än vid helt vertikala transistorer, vilket gör dem lättare att producera.
Freescale har utvecklat tekniken i sin 90 nm CMOS kisel-på-isolatorprocess (SoI) vid fabriken i Austin. Företaget tänker dock inte använda den i kommersiella produkter förrän vid 45 nm.
