JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 ETN.fi  Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
måndag 20 januari 2020 VECKA 04
Bättre konstruktion krävs för att minska strömförbrukningen i framtidens stora systemkretsar. Det menar ST Microelectronics, som tagit över ledningen för ett EU-projekt inom området.

Framsteg inom processteknik räcker inte - ska framtidens CMOS-kretsar med 65 nm och finare geometrier komma ner i strömförbrukning så krävs även förbättrade konstruktionsmetoder. Det hävdar ST Microelectronics som axlat projektledarrollen för ett EU-projekt som syftar just till att minimera strömförbrukningen i nanoelektronik.

Projektet har det något otympliga namnet Controlling Leakage Power in NanoCMOS SoCs, vilket man bestämt sig för att förkorta till "Clean". Fokus ligger, som projektnamnet indikerar, på just läckströmmar. Utvecklarna ska ta fram modeller för läckströmmar, konstruktionsverktyg och metodik för att hantera och minimera läckströmmar även för stora komplexa kretsar.

Projektet drog igång redan i november förra året men verkar ha haft lite problem att komma ur startblocken. Troligen är det otålighet från STs sida som bidragit till att man nu tagit över kommandot. Totalt deltar 14 partner, däribland Infineon och de tyska EDA-firmorna Chip Vision Design och Edacentrum. Sex universitet finns med i uppställningen och Danmarks tekniska högskola är enda nordiska representant.

MER LÄSNING:
 
Branschens egen tidning
För dig i branschen kostar det inget att prenumerera på vårt snygga pappers­magasin.

Klicka här!
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)