JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Samsung staplar åtta minnen på minimal höjd

Samsung har utvecklat en kapslingsteknik som man hävdar är tredimensionell. Först ut blir ett 16 Gbit NAND-minne. I kretsen staplas åtta chips och den är enbart 0,56 mm hög.
Samsungs nya kapslingsteknik är baserad på WSP (wafer-level processed stack package) där förbindningarna sker genom vior (hål) i chipsen. Det kan jämföras med traditionella flerchipskapslar (MCP) som använder trådbondning för att förbinda chipsen.

Samsungs första WSP-krets är ett 16 Gbit NAND-minne som staplar åtta 2 Gbit minnen. Kretsen är 0,56 mm hög. Men den påstås inte bara vara extremt låg och ta mindre kortyta än dagens lösningar utan den påstås också ha högre prestanda jämfört med alternativen, enligt Samsung. Prestandahöjningen kommer av att förbindningarna blir betydligt kortare än vid trådbondning.

Intressant är dessutom att Samsung borrar hål genom kislet med laser, istället för att etsa dem. Därmed blir företagets WSP-teknik mer kostnadseffektiv än konkurrenternas WSP-varianter, hävdar Samsung.

Till en början kommer Samsung enbart att använda den nya kapslingstekniken till NAND-minnen som ska användas i minneskort för bärbara tillämpningar och konsumentelektronik. De första minneskorten som är baserade på dessa minnen väntas dyka upp tidigt nästa år.

På sikt kommer dock Samsung att även att börja använda kapslingstekniken i avancerade systemlösningar på kapselnivå (SiP) samt DRAM-moduler i exempelvis serverkonstruktioner.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)