About / Advertise
Texas Instrument har tagit fram testchips i 45 nm. Resultatet är gott. Redan nästa år ska provkretsar finnas framme.
Det är 193 nm immersionslitografi som Texas Instruments valt att använda i sin kommande 45 nm process. Därmed tar TI samma beslut som TSMC. Inget annat företag har hittills avslöjat en liknande plan. Texas Instrument hävdar att klivet till 45 nm kommer att ge en mängd fördelar. Dels kommer antalet chips per kiselskiva att dubbleras i ett slag. Dels kan kretsarnas hastighet öka med upp till 30 procent samtidigt som effektförbrukningen minskas med 40 procent.
I sitt utvecklingsarbete har TI tagit fram vad man tror är världens minsta SRAM-cell. Den är 0,24 µm2, vilket påstås vara 30 procent mindre än andra minnesceller i 45 nm som hittills rapporterats. Det är vanligt att just minnesceller utvecklas i ett första steg då nya tillverkningsprocesser tas fram. Minnescellens densitet får sedan stå som riktlinje för hur många transistorer som går att integrera i framtida systemkretsar.
Tanken är att TI:s 45 nm-process ska användas till systemkretsar, typiskt processorer och DSPer för mobiltelefoner. TI har tidigare annonserat att tillämpningsprocessorn Omap3 ska massproduceras i 45 nm.
Bland annat stöder processen TI:s DRP-arkitektur, som integrerar digital rf-funktionalitet på chipet. Konstruktionsbiblioteket kommer även att innehålla en mängd funktioner för asic-konstruktion, som exempelvis analoga komponenter, passiva komponenter samt funktioner för effekthantering.
Planen är att konstruktionsbiblioteket ska finnas tillgängligt mot slutet av detta år. De första provkretsarna ska tas fram under nästa år, medan de första kretsarna ska levereras år 2007. Tillverkningen kommer att ske i företagets fabrik i Dallas, Texas.
