Prototypen som tagits fram är 3 x 20 nm. Det är betydligt mindre än vad som är möjligt att realisera i flashteknik och minnets förmåga att skala kommer att matcha halvledarindustrins krav fram till år 2015, hävdar forskargruppen.
– Vårt resultat visar att fasväxlande minnen har en ljus framtid. Många minnesexperter anser att flashminnen kommer att få problem med att skalas inom en nära framtid. Det bör leda till att fasväxlande minnen kommer att bli mycket attraktiva i många tillämpningar framöver, säger T.C. Chen, på IBM Research.
Fasväxlande minnen spås ta plats i samma tillämpningar som dagens flashminnen, exempelvis datorer, digitalkameror och musikspelare.
Tekniska detaljer kring den nya minnestekniken kommer att presenteras på IEEE:s forskarmöte 2006 International Electron Devices Meeting som hålls i San Fransisco i veckan.
Även Intel och ST Microelectronics samarbetar kring fasväxlande minnesceller.