JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Första NAND i 50 nm

Minnesgiganten Samsung har släppt prover av NAND-flashminnen som är tillverkade i 50 nm. Minnena lagrar 16 Gbit och ska främst användas som hårddisk i bärbara produkter.
Samsungs första NAND-flashkretsar i 50 nm har en flernivåsteknik (multi-level cell) som lagrar 4 kbyte per sida istället för traditionella 2 kbyte per sida.  Den nya sidarkitekturen gör att minnets läshastighet dubbleras samtidigt som skrivhastigheten ökar med 150 procent, hävdar Samsung.

Planen är att det nya 16 Gbit minnet ska börja volymtillverkas under första kvartalet i år. Och förhoppningen är att det ska bana väg för flashbaserade hårddiskar i framtid tillämpningar.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)