About / Advertise
Den nybildade flashminnesgiganten Numonyx hoppar över 65 nm och siktar istället på att snabbast möjligt rulla ut minnen i fasväxlande teknik i en 45 nm-process. Förhoppningen är att det nya minnet ska ersätta NOR i framtida mobiltelefoner.
För en vecka sedan sjösattes Numonyx, världens tredje största tillverkare av icke-flyktiga minnen. Företaget är samägt av ST Microelectronics och Intel (se länk). Och nu avslöjar Numonyx en aggressiv utvecklingsplan, där siktet är ställt på att så snabbt som möjligt lansera fasväxlande minnen (phase-change memory, PCM) i 45 nm-processteknik. Forskare på Intel och ST har samarbetat under lång tid och redan förra sommaren avslöjades det att företagen hade tankar på att släppa prover av fasväxlande minnen om 128 Mbit i 90 nm-processteknik. Fast så blev det inte. Istället valde företagen att vässa tekniken och de första proverna dök inte upp förrän i början på detta år.
Nu avslöjar Numonyx nytillsatte vd Brian Harrison, tidigare chef för Intels flashminnesgrupp, att företaget planerar att gå direkt från 90 nm till 45 nm med sin fasväxlande teknik.
– Vårt mål är att ta fram en enkelnivåcell (SLC) PCM i 45 nm snabbast möjligt. Vi förväntar oss att ha det framme under mitten av nästa år. Vi har även talat om flernivåsteknik (MLC) och då handlar det i första hand om ett demochips, säger Brian Harrison, till sajten EETimes.
Anledningen till att man väljer att gå direkt på 45 nm är att densiteten måste upp. Minnet ska konstrueras som en benkompatibel ersättare av dagens NOR-flash i mobiler, men för att minnet ska accepteras av mobiltelefontillverkarna måste det också ha konkurrenskraftig densitet. Något 90 nm-minnet inte klarar.
– Vid 45 nm kommer minnet att vara mycket konkurreskraftigt mot NOR-flash tillsammans med fördelarna som PCM ger, säger Brian Harrison.
Han hävdar att företagets fasväxlande teknik bland annat ger minnen som har snabbare läs och skrivtid vid lägre effektförbrukning än konventionella flashminnen.
