About / Advertise
Halvledaralliansen IBM Common Platform börjar producera testkretsar tillverkade i 32 nm redan under hösten. Forskningsresultat indikerar dessutom att den nya processen kan komma att användas för 22 nm framöver, enligt IBM.
I slutet av förra året hävdade IBM att företaget och dess partner ska börja producera kretsar med geometrier på 32 nm under hösten 2009. Nu kommer beskedet att de första prototyperna dyker upp under årets tredje kvartal. Den nya 32 nm-processen är utvecklad i samarbete med halvledaralliansen IBM Common Platform, ledd av IBM och uppbackad av Infineon, ST Microelectronics, Freescale, Chartered, Toshiba och Samsung.
Processen, som är utvecklad i IBM:s 300 mm fabrik i East Fishkill, använder dielektrikum med högt k-värde och metallgate. Alliansen hävdar att kretsar tillverkade i den nya 32 nm-processen får 30 till 50 procent lägre effektförbukning och upp till 35 procent högre prestanda än kretsar tillverkade i 45 nm – allt förutsatt att matningsspänningen är densamma i båda fall. Självklart blir kretsarna också klart mindre. Det talas om halva storleken, då man går från 45 nm till 32 nm.
IBM, Cartered och Samsung blir först med att erbjuda 32 nm och redan nu finns modeller och konstruktionsregler framme som gör att kunderna kan börja konstruera för processen. Kisel kommer att börja produceras genom så kallade shuttleprogram – där flera kunder delar på samma uppsättning masker – under årets tredje kvartal.
Forskningsresultat vid College of Nanoscale Science and Engineering’s Albany NanoTech Complex indikerar att den nya processen även kan komma att kunna användas vid 22 nm, hävdar IBM.
