För att kunna hantera detta behövs så kallade HD-SIM, som står för high density SIM. De ska vara både säkrare och ha högre lagringskapacitet än traditionella SIM-kort.
Tyska Infineon och amerikanska Micron ska tillsammans utveckla en kretslösning för HD-SIM. Korten ska lagra från 128 Mbyte upp till 2 Gbyte.
Tanken är att Infineon ska bidra med styrkretsarna som hanterar mycket av säkerheten, medan Micron bidrar med NAND-minnen som även har inbyggd kod för felkorrigering. Minnena som är seriella, ska tillverkas i 50 nm samt 34 nm. Inom konceptet finns dock tanken att det ska gå enkelt att byta mellan NAND- och NOR-flash, vilket skapar utmaningar på styrkretsnivå. De första prototyperna förväntas dyka upp på marknaden under nästa höst.