Minnesgiganten Samsung har utvecklat och utvärderat vad man påstår är världens första DRAM tillverkade i 40 nm. Minnena ska användas i Intels kretspaket GM45 Express för persondatorer.
Först ut är ett DDR2-minne som lagrar 1 Gbit samt en modul om 1 GByte. Båda produkterna har enligt Samsung redan certifierats i Intels utvärderingsprogram och ska framöver användas i företagets kretspaket för datorer, kallat Intel GM45 Express.
Samsung menar att steget från 50 nm till 40 nm tillåter att spänningsnivåerna på chipset skruvas ner ytterligare, vilket antas ge en minskning av effektförbrukningen på runt 30 procent. Företagets plan är att utveckla ett minne om 2 Gbit i den nya processen som ska börja volymproduceras mot slutet av detta år.