Nu hävdar rivalen Samsung att företaget redan volymtillverkar flashminnen med tre bitar per cell som rymmer 128 Gbit. Koreanen hävdar dessutom att det nya minnet är tillverkat i en 10 nm-minnesprocess. Till skillnad mot Micron, vars kisel upptar 146 kvadratmillimeter, avslöjar inte Samsung storleken på det nya minnet. Företaget hävdar dock att minnet klarar datahastigheter på 400 Mbit/s över DDR2-gränssnitt.
Hur än kriget fortlöper är det intressant att de två kombattanterna anser att flernivåsflash med tre bitar per cell numera är fullvärdiga alternativ för flashdiskar (SSD) i datorer. I och med släppet av det nya 128 Gbit minnet säger sig Samsung också skruva upp volymproduktionen av SSD:er som rymmer över 500 Gbyte, med siktet inställt på ett bredare genomslag i datorer.