About / Advertise
Mobilkretsjätten Qualcomm ser ut att bli först med LTE-modem som tillverkas i en 20 nm-process. Modemet stödjer LTE-Advanced med 40 MHz carrier aggregation för både FDD och TDD vilket resulterar i nedladdningshastigheter upp till 300 Mbit/s. Samtidigt ska det ge lägre effektförbrukning och upptar mindre kortyta, hävdar företaget.
Det nya modemet består av två delar, basbandsprocessorn Gobi 9x35 som ska tillverkas i 20 nm. Förutom LTE-Advanced, kategori 6, klarar den bland annat DC-HSPA, EVDO Rev. B, CDMA 1x, GSM och TD-SCDMA. I modemet ingår också transceiverkretsen WTR3925 som körs i en 28 nm process. Den är Qualcomms första enkretslösning som klarar alla frekvensband som används för så kallad carrieraggregation där operatörerna kan nyttja spridda frekvensband som om de vore ett enda sammanhängande. I modemlösningen ingår också frontendkretsen RF360.
Qualcomm är totalt dominerande på LTE-modem och den nya produkten är den fjärde generationen. De nya kretsarna Gobi 9x35 och WTR3925 ska börja sampla i början av nästa år.
Företaget är tillsammans med bland annat Intel en av Ericssons huvudmotståndare för det nya affärsområdet Modems. Ericsson har höga ambitioner och siktar på att bli en av de tre stora på LTE-modem inom två år.
Läs Elektroniktidningens färska intervju med Mats Norin (länk) som är chef för verksamheten.
