JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Grafen kyler bättre än koppar

Grafen kyler bättre än koppar

Med lite tillsatser kan grafen kyla okapslade halvledarkomponenter fyra gånger bättre än koppar. Resultatet kommer från Chalmers.
För några år sedan visade ett forskarlag lett av Johan Liu – professor i elektronikproduktion på Chalmers – för första gången att grafen kan kyla kiselbaserade kretsar. Sedan dess har även ändra forskare arbetat med grafen för kylning av kiselbaserad elektronik.

Men med de metoder som har funnits hittills kan man inte få bort så stora mängder värme eftersom det bara är några få atomlager som kan leda bort värmen. När man har många lager av grafen dyker det upp problem med vidhäftningen mellan grafenet och underlaget.

– Vi har löst det här problemet genom att skapa starka kovalenta bindningar mellan grafenfilmen och underlaget, som är en elektronikkomponent av kisel, säger Johan Liu i ett pressmeddelande.

De starka bindningarna är resultatet av så kallad funktionalisering av grafenet, det vill säga en tillsats av en molekyl som ger skiktet nya egenskaper. Efter att ha testat många olika tillsatser kom chalmersforskarna fram till att molekylen (3-Aminopropyl) trietoxysilan (APTES) är den som fungerar bäst. Vid uppvärmning och hydrolys skapar den en så kallad silanbindning mellan grafenet och elektronikkomponenten (se bild).

Utöver de starka bindningarna får man en fördubbling av hela systemets värmespridningsförmåga. Forskarna har visat att värmeledningsförmågan i filmens plan, där den har en tjocklek på 20 mikrometer, kan nå ett värmeledningstal på 1600 W/mK. Det är över fyra gånger bättre än värmeledningstalet för koppar.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)