JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Flashminne i 48 lager på G

I mars annonserade Toshiba och Sandisk prover av vad man hävdar är världens första 3D NAND-flash i 48 lager. Det rymmer 128 Gbit. Nu, veckan efter det att Intel och Micron basunerat ut sin nya minnesarkitektur 3D Xpoint, avslöjar Toshiba och Sandisk att de planerar att sampla ett 3D NAND om hela 256 Gbit redan i nästa månad.
Minnestekniken som Toshiba och Sandisk samarbetar kring kallas BiCS. Det är kort för Bit Cost Scaling och i praktiken Toshibas variant av 3D NAND, som företaget utvecklat sedan 2007.

Minnet som avslöjades i våras lagrar två bitar per cell och är tillverkat i 15 nm. Minnet som företagen talar om nu lagrar tre bitar per cell, medan processnoden ännu är okänd. Båda minnesvarianter är konstruerade i 48 lager.

Enligt plan ska de två företagen börja pilotproduktion av 128 Gbit-minnet under årets andra halva och rampa upp volymer under nästa år.

När 256 Gbit-minnet kommer i produktion är inte helt klart. Fast när det väl dyker upp så kan man lagra 32 Gbyte på en yta inte större än en fingernagel.

Klart är också att BiCS-flash ska tillverkas i den nya fabriken Fab2 i japanska Yokkaichi. Fab2 väntas vara redo för produktionsstart under första halvan av nästa år.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)