About / Advertise
Litografiprocessen för den mest avancerade logiken blir enklare och därmed billigare med Applied Materials nya mönstringsmaskin kallad Centura Sculpta. Intel blir först ut med tekniken som förenklar de steg som kräver dubbla masker, så kallad double patterning.
För att förstå storheten måste man ta sig ner till det understa lagret i halvledarkretsarna, till transistorerna. Där hittar man också de minsta geometrierna. Från 5 nm-noden används EUV, extremt ultraviolett ljus, med en våglängd på 13,5 nm för att göra litografin. I äldre processer är det istället immersionslitografi med en våglängd på 193 nm eller längre som används.
För att skapa mönster som är mindre än ljuskällans våglängd har man från 28 nm tagit till knep som double patterning. Precis som namnet antyder görs två exponeringar med två olika masker för att skapa ett lager i kretsen.
Intel tog tekniken ett steg längre, för 10 nm-processen har företaget använt fyra masker. Och hade inte EUV fungerat hade branschen fått gå över till åtta masker per lager.
Men för de senaste processnoderna behövs tekniken även med EUV och det är här som Applied Materials teknik kommer in. Den maskin som företaget utvecklat kan ersätta en av maskerna men ändå ge samma resultat.
Enligt Applied Materials kan tekniken sänka investeringskostnaden med 250 miljoner dollar för en fabrik som processar 100 000 wafers per månad. Produktionskostnaden per wafer sjunker därmed med 50 dollar samtidigt som energibehovet minskar med 15 kWh och vattenförbrukningen minskar med 15 liter plus att koldioxidutsläppen reduceras med 0,35 kg. Allt räknat per wafer.
Av pressmeddelandet framgår att Intel deltagit i utvecklingsarbetet och ska använda tekniken. Även Samsung har deltagit och lovordar tekniken.
