I veckan har amerikanska Crystal IS presenterat vad företaget uppger är det första fyratumssubstratet i monokristallint aluminiumnitrid, AlN. Materialet har brett bandgap och bra värmeledning och används till UV-dioder, men kan också bli aktuellt för kraftkomponenter och rf-kretsar.
Crystal IS, som är ett dotterbolag till japanska Asahi Kasei, har idag en kommersiell process för tvåtumssubstrat som används till UV-dioder. Om företaget kan skala upp till fyra tum ger det potentiellt fyra gånger fler komponenter per wafer.
I pressmeddelandet uppger företaget att 80 procent av ytan är användbar för UV-dioder.
Dessa avger ljus inom våglängdsområdet 260–270 nm och används för sterilisering av exempelvis vatten men också för att döda bakterier på ytor.
Om processen går att skala upp till fyra tum innebär det att substraten kan bli användbara för kraftkomponenter och rf-kretsar, även om dessa i många fall redan gått vidare till sex eller åtta tum.
Resultaten har presenterats på den 23:e upplagan av den amerikanska konferensen om kistalltillväxt och epitaxi i Tucson, Arizona.