Styrkretsen, H8SX/1725F, som nu släpps har alltså både ett minne för data och ett för kod. Flashminnet för kod kan jobba på 64 MHz, men under nästa år planerar Renesas att släppa en variant som klarar hela 80 MHz.
– Det kan vi åstadkomma genom att gå till 90 nm. Dagens kretsar till tillverkas i 150 nm, säger Guenter Plechinger.
När processen krymper dubbleras också minnesstorleken. Kodminnet i nästa års release blir således 512 kbyte, medan dataminnet utvidgas till 32 kbyte. Dataminnet klarar dessutom att raderas och skrivas 30 000 gånger.
– Tidigare har man alltid tvingats välja mellan snabbhet och uthållighet hos flashminnet. Vanligtvis klarar ett kodflash bara runt hundra cykler, vilket är alldeles för lite när man vill lagra data, säger Guenter Plechinger.
Flashminnestekniken som Renesas använder för inbyggnad kallas Monos, som står för Metal Oxide Nitride Oxide Silicon. Idag tillverkar företaget inbyggda flashminnen i 180 nm, 150 nm och 90 nm
– Vår flashteknik är den enda som kan skalas med processen. Vi kommer att kunna skala den ner till 45 nm och då kan vi göra minnen som rymmer upp till 8 Mbyte. Marknaden styr och om efterfrågan finns kommer vi att kunna producera dessa minnen inom ett till två år, säger Guenter Plechinger.
Nykomlingen H8SX/1725F har även andra intressanta inbyggda funktioner, som två 10 bitars AD-omvandlare med åtta kanaler vardera och två 16-bitars timerenheter med sex kanaler vardera.
H8SX/1725F finns tillgänglig i en LQFP med 100 anslutningar. Ett utvärderingskort, SDK1725, kommer att lanseras i början på november på elektronikmässan Electronica i München.