About / Advertise
ST Microelectronics har nått ett genombrott med sin senaste MOSFET-teknik. Ingen har tidigare lyckats skapa transistorer med så låg on-resistans, hävdar företaget. Samtidigt har genombrottsspänningen höjts till 650 V. – Att minska on-resistansen är oerhört viktigt. Det har vi lyckats med genom lite trixade i processen som förbättrat transistorns drain-struktur och sänkt spänningsfallet mellan drain och source, säger Ian Wilson, som är ansvarig för kraft-MOSFET:ar på ST Microelectronics.
Det, menar han, minskar kretsens förluster och gör att gate-laddningen förblir låg, vilket gör det möjligt att switcha energieffektivt och snabbt.
– Samtidigt har vi höjt genombrottsspänningen med 50 V till 650 V, vilket ger än ännu bättre säkerhetsmarginal för konstruktörerna, säger Ian Wilson.
Ytterligare en intressant detalj är att de nya kretsarna har en renare vågform vid på- och av, det vill säga de skapar mindre störningar vid switchningen och klarar sig således med enklare gate-styrning och EMI-filter.
Först ut i den nya transistorgenerationen är de två familjerna STx42N65M5 och STx16N65M5, där den förstnämnda är specificerad för 33A och har ett RDS (ON) på 0,079 Ω i en TO-22-kapsel. Det är runt 20 mΩ lägre än bäste tillgängliga alternativ för dagen, hävdar ST Microelectronics. STx16N65M5 är för 12 A och har en on-resistans på 0,299 Ω. Båda finns i volymer och ett flertal kapslingsalternativ.
– Vår plan är att lansera fler kretsfamiljer med både högre och lägre strömmar och lägre on-resistans, säger Ian Wilson.
Redan om en månad ska de första proverna av en familjemedlem, kallad STY112N65M5, för 93 A och on-resistansen 0,022 Ω dyka upp i en MAX247-kapsel. Därefter ska ytterligare sex familjemedlemmar lanseras fram till juni i år.
