Redan nu avslöjar ST Microelectronics några detaljer – om än mycket få – kring den kommande styrkretsgenerationen.
Så gott som allt kretsar kring effektförbrukningen, som företaget jobbat hårt med att hålla nere både i vila och aktivt läge. Det innebär att transistorerna har låga läckströmmar samt att allt från analoga funktioner till inbyggda minnen och periferienheter har konstruerats med tanke på låg effekt. ST anger att kretsarna förbrukar 150 µA per MHz i aktivt läge samt enbart 300 nA i HALT-mode med bibehållet SRAM-innehåll.
Tanken är att den nya plattformen ska finna sin plats i exempelvis bärbara medicinska produkter, alarm, trådlösa sensornät, GPS-prylar, fjärrkontroller och andra bärbara accessoarer.