About / Advertise
Magnetiskt minne redo matcha DRAM och flash
Minnestillverkaren Everspin Technologies är först ut med en ny typ av magnetiskt minne, kallat ST-MRAM, med extremt låg fördröjning. Nykomlingen lagrar 64 Mbit och stöder Jedecs specifikation för DDR3-gränssnitt. Det riktigt intressanta är dock att minnet påstås kunna skala till gigabitdensitet.Nykomlingen, döpt till EMD3D064M, är istället ett så kallat ST-MRAM (spin torque magnetoresistive random access memory). Under flera år har den tekniken utmålats som den minnesteknik som kan ersätta både DRAM och flashminnen, eftersom tekniken i teorin är lika billig som DRAM, lika snabba som SRAM och icke-flyktiga som flash.
Grunden i ett MRAM är att data lagras som ett magnetiskt tillstånd, istället för en elektrisk laddning. Ett ST-MRAM skrivs genom att elektronens spinn styrs med en ström som är polariserad i samma riktning som själva elektronerna. Tekniken är betydligt strömsnålare än första generationens MRAM, där data skrivs genom att applicera ett magnetisk fält som alstras av en ström genom en ledare nära ett tunnlande magnetorestriktivt element.
Nykomlingen är på 64 Mbit, men tekniken kan skalas till gigabit, enligt Everspin. EMD3D064M är även kompatibelt med industristandarden DDR3, som ger datahastigheter – både skriv och läs – på upp till 1 600 Mbit/s per IO. Det kan översättas till en minnesbandbredd på upp till 3,2 Gbyte/s, vilket enligt Everspin gör EMD3D064M till industrins snabbaste icke-flyktiga minne som dessutom har en fördröjning i nanosekunds-klass.
Minnet finns i prover och utvärderas just nu av utvalda kunder. Under nästa år planerar företaget att släppa minnet i större volymer.
