About / Advertise
Just nu pågår den internationella kiselkarbidkonferensen ISiCPEAW 2015 för fullt här i Stockholm. Igår talade bland annat halvledartillverkaren Rohm om sitt senaste tillskott – världens enligt företaget första MOSFET i kiselkarbid med trenchstruktur; en design som ger klart lägre förluster än dagens planara struktur. Det banar väg för billigare SiC-transistorer, menar Rohm.
– Nyligen började vi masstillverka våra MOSFET:ar med trenchstruktur. Det är vår tredje MOSFET-generation och den har signifikant lägre on-resistan än vanliga planara SiC MOSFET:ar i samma storlek, avslöjade Christopher Rocneanu på Rohm Semiconductor.Under gårdagens diskussioner på ISiCPEAW 2015 var flera halvledartillverkare, däribland Cree och Rohm, överens om att en av de viktigaste utmaningarna framåt är att få ner priset på kiselkarbidtransistorer. Priset är avgörande för att kunna konkurrera med kisel, helt enkelt.
Ett steg i denna riktning är enligt Rohm den nya trencharkitekturen som minskar R(on) med hela 50 procent jämfört med dagens planara SiC MOSFET:ar i samma chipstorlek. – Samtidigt ger trenchstrukturen bättre switchprestanda eftersom kapacitansen på ingången minskar med cirka 35 procent, konstaterade Christopher Rocneanu.
Hittills har Rohm hunnit med att släppa tre 1,2kV-modeller med 22 mΩ, 30 mΩ och 40 mΩ samt tre 650V-modeller med 17 mΩ, 22 mΩ och 30 mΩ. Alla finns att få i volym.
– Under nästa år planerar vi att lansera ytterligare modeller för de två spänningsnivåerna.
Om planeringen håller ska Rohm rulla ut 80 mΩ och 160 mΩ 1,2kV-transistorer samt 60 mΩ, 80 mΩ och 120 mΩ 650V-transistorer under 2016.
Men innan dess planerar företaget även att gå från 4-tum till 6-tum vid tillverkning av de nya trench-transistorerna.
– Planen är att vi ska börja masstillverka vår tredje generation SiC-transistorer på 6-tumsskivor under året tredje kvartal. På så sätt kan vi erbjuda högre volymer och lägre pris per ampere, avslöjade Christopher Rocneanu.
Företaget har även släppt prover av en nyutvecklad 1,2kV/180A-kraftmodul, kallad BSM180D12P3C007. Under skalet huserar dels de färska trenchtransistorerna, dels Schottkydioder i SiC. – Vår nya kraftmodul har 77 procent lägre switchförlust än moduler som innehåller IGBT:er i kisel med samma märkström och 42 procent lägre switchförlust än jämförbara moduler med planara SiC MOSFET:ar, konstaterade Christopher Rocneanu.
Planen är att börja volymtillverka de nya modulerna i juni.
