JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 ETN.fi  Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
söndag 29 mars 2020 VECKA 13

Infineon utökar sin SiC-portfölj med mosfetar på 650 V. Företaget försäkrar att nykomlingarna har sin givna plats bredvid de egna kisel- och GaN-alternativen i samma spänningsområde.

Det tog tid tills Infineon serverade sina första mosfetar i kiselkarbid. Men när företaget väl börjat, kommer kretsar i en strid ström.

De första var på 1 200 V, nu är det alltså dags för 650 V-versioner.

Det som skiljer Infineons lanseringsstrategi från de flesta andra halvledarföretag är att företaget helt valt bort att släppa SiC-mosfet:ar i planar arkitektur. Företaget är helt övertygat om att trenchteknik framtiden.

– Trench-tekniken är mer komplex att utveckla än den planara. Det gäller både för kisel och kiselkarbid, säger Steffen Metzger, ansvarig på Infineon, och adderar:

– Men trenchbaserade SiC-kretsar blir mer robusta. Den gör också att det är lättare att nå en hög tröskelspänning, vilket gör det lättare få hög verkningsgrad.

De nya 650V-kretsarna inlemmas i företagets varumärke CoolSiC MOSFET. De kommer i fyra versioner med typiskt Rds(on) från 27 mΩ till 107 mΩ. Alla versioner går att få i den välkänd standardkapseln TO247 med tre anslutningar och i den mer optimerade TO247 med fyra anslutningar.

TO247-4 har ett extra ben som optimerar switchtransienterna.

Standardkapseln är lätt att använda och ger ett tillräckligt lyft för att vara intressant, resonerar Infineon. Den andra TO247:n har en extra förbindning till transistorns source som hanterar parasitinduktansen som kapselns långa benen ger. Det fjärde benet förbättrar switchförlusterna radikalt, hävdar Infineon.

På frågan om de nya kretsarna kan byta plats med dagens kiseltransistorer utan krav på omkonstruktion svarar Steffen Metzger:

– Ja, det går, men för att få bästa prestanda rekomenderar vi att man använder gate-drivare som är speciellt utvecklade för SiC-mosfetarna.

Med det nya släppet har Infineon mutat in 650 V-området ordentligt med transistorer i kisel, kiselkarbid och galliumnitrid.

– Alla tre tekniker passar väl för 650 V. De har lite olika egenskaper och kunderna väljer vad de vill ha, medan vi hjälper till att ge dem vad de behöver, påpekar Steffen Metzger.

Serverhallar, telekom och industriell SMPS (Switch Mode Power Supply), solenergi-, batteri och UPS-system, energilagring, motorer och EV-laddning är några områden som Infineon pekar ut som passande för de nya SiC-transistorerna.

Som nämnts har Infineon redan 1 200 V-versioner i sin SiC-portfölj. Än så länge finns de i samma kapsalingsalternativ som de nya 650V-transistorerna, men inom kort kommer 1 200 V även i TO263-7-kapslar med 30 mΩ till 350 mΩ.

Framåt lovar företaget dessutom än högre spänningar – nästa mål är ställt på 1 700 V och sedan ännu högre. Likaså kommer företaget att expandera SiC-portföljen med ytmonterat, moduler samt enheter som specifikt siktar på fordonsområdet.

MER LÄSNING:
 
Här får du våra nyheter gratis
• Tidningen, i brevlådan (länk).

• Dagligt nyhetsbrev (länk).

236
elektronik­konsulter

Registrera ditt företag nu!
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)