JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
onsdag 1 december 2021 VECKA 48

ST Microelectronics har släppt en krets som integrera två asymmetriska GaN-transistorer med var sin optimerad drivare. Lösningen är klart mindre, lättare och effektivare än dagens kiselalternativ, hävdar företaget.

Det handlar om en första enhet i en ny familj kallad MasterGaN2. Här samsas två 650 V GaN-transistorer med RDS (on) på 150 mohm respektive 225 mohm. Båda är så kallat ”normally-off” och parade med var sin optimerad gate-drivare. Allt är kapslat i en 9 x 9 x 1 mm GQFN.

Enligt ST är det enkelt för konstruktörer att kombinera nykomlingen med exempelvis Hall-sensorer, DSP:er, FPGA:er och olika styrkretsar. Ingångarna kan hantera logiksignaler från 3,3V till 15V.

Kretsen passar enligt företaget väl i USB-PD-adaptrar eller laddare av smartmobiler. Där erbjuder den en lösning som enligt ST är upp till 80 procent mindre och 70 procent lättare, samtidigt som den laddar tre gånger snabbare än dagens kiselalternativ.

MasterGaN2 finns att köpa i volym och kostar från 6,50 dollar styck vid köp om 1 000 enheter.

MER LÄSNING:
 
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus