JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise

ST Microelectronics har släppt en krets som integrera två asymmetriska GaN-transistorer med var sin optimerad drivare. Lösningen är klart mindre, lättare och effektivare än dagens kiselalternativ, hävdar företaget.

Det handlar om en första enhet i en ny familj kallad MasterGaN2. Här samsas två 650 V GaN-transistorer med RDS (on) på 150 mohm respektive 225 mohm. Båda är så kallat ”normally-off” och parade med var sin optimerad gate-drivare. Allt är kapslat i en 9 x 9 x 1 mm GQFN.

Enligt ST är det enkelt för konstruktörer att kombinera nykomlingen med exempelvis Hall-sensorer, DSP:er, FPGA:er och olika styrkretsar. Ingångarna kan hantera logiksignaler från 3,3V till 15V.

Kretsen passar enligt företaget väl i USB-PD-adaptrar eller laddare av smartmobiler. Där erbjuder den en lösning som enligt ST är upp till 80 procent mindre och 70 procent lättare, samtidigt som den laddar tre gånger snabbare än dagens kiselalternativ.

MasterGaN2 finns att köpa i volym och kostar från 6,50 dollar styck vid köp om 1 000 enheter.

MER LÄSNING:
 
Pappersmagasinet Nyhetsbrev

SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)