Det har gått ett år sedan amerikanska Navitas lanserade GaNSafe-familjen som förutom krafttransistor även innehåller drivare, avkänning och skydd. Nu kommer den i en version med kylning på ovansidan vilket minskar den termiska stressen på kretskortet.
GaNSafe-familjen är tänkt för krävande tillämpningar som datacenter för artificiell intelligens, solcells- och energilagring samt industriella produkter.
Komponenterna är specificerade för 650 V kontinuerlig spänning och 800 V under korta perioder. De passar i omvandlare från 1 kW upp till 22 kW. RDSONMAX går från 25 till 98 mΩ.
Det finns kortslutningsskydd (350 ns max latens) och 2kV ESD-skydd på alla anslutningar. Komponenterna behöver ingen negativ drivning av gaten och har programmerbar slew rate. Alla funktioner styrs över fyra anslutningar vilket gör att komponenten kan betraktas som en diskret GaN FET utan behov av separat spänningsmatning (VCC).
TOLT-kapseln förbättrar värmeavledningen via ovansidan vilket gör att värmen kan avledas direkt till kylflänsen istället för att ta vägen via mönsterkortet. Detta gör det möjligt att sänka driftstemperaturen och öka strömkapaciteten, vilket resulterar i högsta möjliga effekttäthet, effektivitet och tillförlitlighet i systemet.