About / Advertise
Hades ger kraft när temperaturen stiger
Belgiska Cissoid, specialist på temperaturtåliga halvledare, har lanserat en isolerad gate-drivare lämpad för krafttransistorer som arbetar vid mycket höga temperaturer, speciellt snabbswitchande transistorer i kiselkarbid och galliumnitrid. Det är marknadens första i sitt slag, hävdar företaget. – Men de flesta av våra kretsar fungerar upp till 300°C, ibland till och med upp till 400°C, säger Jean-Christophe Doucet, marknadsansvarig på Cissoid.
Företagets specialiteter är kraftaggregat, signalkonditionering och kraftomvandling, där nykomlingen, döpt till Hades, passar in på den sistnämnda som också är en ny marknad för Cissoid.
Hades är egentligen både en referensdesign och ett utvärderingskort. Som referensdesign kan plattformen skalas att klarar gate-strömmar upp till ±20A, medan den som utvärderingskort kan hantera gate-strömmar upp till ±4A. Båda kan driva två effekt-MOSFET:ar vid busspänningar upp till 1200 V.
Den nya plattformen är konstruerad för att driva krafttransistorer i kiselkarbid (SiC), men den passar även GaN-transistorer och andra krafttransistorer. Den klarar switchfrekvenser upp till 150 kHz och eftersom den tål höga temperaturer kan den placeras nära transistorn, vilket minskar parasitkapacitanserna och parasitinduktanserna.
– Plattformen kan både användas i miljöer där temperaturen är hög, exempelvis i bilar och oljeborrhål, och nära kraftkretsar som ju i sig blir varna när de arbetar, säger Jean-Christophe Doucet.
Cissoid hävdar exempelvis att Hades kombinerat med den senaste generationen SiC-switchar kan ge en kraftomvandlarkonstruktion som når en verkningsgrad över 98 procent även då switchfrekvensen överstiger 100 kHz.
– Med Hades som bas kan man utveckla kraftomvandlare som är fem gånger mindre och lättare än idag, och som dessutom har högre verkningsgrad.
Hades passar att användas i lösningar för exempelvis motorstyrning, batteriladdning och kraftdistribution.
