JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. IBM visar böjbara CMOS-kretsar

IBM visar böjbara CMOS-kretsar

Böjbar elektronik skulle öppna för helt nya typer av elektronikprylar men hittills har prestanda satt käppar i hjulen för allt annat än väldigt enkla tillämpningar. Nu kan forskare på IBM ha hittat en lösning.
Det var på konferensen International Electron Devices Meeting, IEDM, i San Francisco som teamet från IBM visade att det går att göra mycket tunna CMOS-baserade kretsar som sedan lyfts över till ett böjligt plastsubstrat. Forskarna har tillverkat ett SRAM-minne och en ringoscillator i en 300 mm-process på 22 nm.

Forskarna använde en extremt tunn kisel-på-isolatorprocess, skiktet vara bara 60 Ångström. När testkretsarna var klara lossades det översta skiktet från kiselskivan med så kallad flisning ”controlled spalling”.

Man började med att applicera ett lager av nickel som är 5-6 mikrometer tjockt. Därefter lades ett relativt tjockt och tejpliknande lager av en flexibel polymer. Sedan var det dags att skapa en spricka (stress discontinuity) längs ena kanten av wafern som spreds kontrollerat över hela ytan. Därefter flyttades den tunna kakan över till en självhäftande bärare av plast, varvid det översta tejplagret liksom nickellagret avlägsnades.

Processen kan ske i rumstemperatur och uppges vara billig.

De tillverkade transistorerna hade en gatelängd under 30 nm och avståndet mellan dem var 100 nm. Ringoscillatorn hade en fördröjning på 16 ps vid 0,9 V vilket uppges vara det bästa värdet någonsin för en flexibel krets.

Forskarna kunde se en viss degradering av prestanda efter flytten till plastsubstratet, men anser att det inte är något större problem.
MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)