About / Advertise
Nytt höjdrekord ger 128 Gbit
Toshiba säger sig vara först med ett flashminne byggt i 48 lager som med två bitar per cell rymmer hela 128 Gbit per chip. Genom att bygga minnescellerna på höjden, tredimensionellt, går det att få in fler bitar per ytenhet vilket i sin tur sänker priset per bit. Företaget ger inga siffror men hävdar att processen är tillräckligt bra för att minnena ska kunna användas i SSD-diskar. Toshiba ger heller inget pris för minnet. Det finns sampel för den som vill testa.
Det här är Toshibas fösta generation 3D-Flash efter att man utvecklat tekniken sedan 2007.
Konkurrenten Samsung har redan sin andra generation 3D-flash i produktion, 3D V-NAND, som bland annat används i SSD-minne.
Intel och Micron utvecklar 3D-flashteknik som kallas IMFT (Intel-Micron Flash Technologies) och ska börja volymproduceras i år. Intel och Micron bräcker Toshiba i kapacitet – man har släppt provexemplar av 256 Gbit-chips i MLC-teknik och räknar med att med TLC-teknik kunna komma upp i hela 384 Gbit per chip.
SK Hynix har en teknik kallad DC-SF som ska börja volymproduceras 2016.
Källor: Toshiba, Tomshardware
