About / Advertise
Kisel med lufthål kan bli ett alternativ till kisel-på-isolator-teknik. Det menar forskare hos Toshiba, som utvecklat en tillverkningsprocess för sådana kiselstrukturer.
Eftersom luft är en mycket god isolator tror sig nu forskare hos Toshiba i Japan ha hittat ett alternativ till kisel-på-isolator-strukturer, SOI-strukturer.
Detta i och med utvecklingen av en process som ger kiselstrukturer med tomrum, det vill säga lufthål, formade som rör, sfärer eller plattor.
Till skillnad från SOI-strukturer är det på dessa lufthålsstrukturer inga problem att skapa ytterligare helt felfria kisellager.
Atomer flyttar sig själva
Toshiba-forskarnas process är självorganiserande tack vare att den utnyttjar ett sedan tidigare känt förflyttningsfenomen.
Detta består i att kiselatomerna på ytan av ett djupt etsat kiselsubstrat förflyttar sig för att minska ytenergin när substratet härdas i en antioxiderande omgivning. Man har alltså lyckats få kiselatomer att förflytta sig så att de skapar hål av önskat format i strukturen.
Forskarna kommer att presentera den självorganiserande processen på årets IEDM- (International Electron Devices Meeting)-konferens i Washington DC i december.
Processen beskrivs i försiktiga ordalag som ett möjligt framtida alternativ till SOI-teknik. Enligt Toshiba-forskarna är SOI-processen exempelvis alltför komplicerad för tillverkning av större integrerade kretsar. Så är däremot inte fallet med den nya hålprocessen, menar de.
Forskarna har också kunnat visa att kisellagret med de förflyttade kiselatomerna behåller alla i övrigt nödvändiga egenskaper.
Gittan Cedervall
